Արարատյան բակալավրիատի դպրոցների ղեկավար կազմի զարգացման ծրագիրը կմեկնարկի մայիսին
23-03-2018 19:08:43 | Հայաստան | Մամլո հաղորդագրություն
Կարևորելով ղեկավար կազմի, մասնավորապես՝ դպրոցի տնօրենի դերը դպրոցների վերափոխման ու կայացման, ինչպես նաև աշակերտների արդյունքների բարելավման գործում՝ 2017 թ․ ամռանը «Այբ» կրթական հիմնադրամը, Լոնդոնի համալսարանական քոլեջի (ԼՀՔ) Կրթության ինստիտուտի հետ համագործակցությամբ, սկսեց Արարատյան բակալավրիատի թեկնածու դպրոցների ղեկավար կազմի (տնօրենների և փոխտնօրենների) մասնագիտական զարգացման ծրագրի մշակումը։
Մշակման աշխատանքներն արդեն վերջնականացման փուլում են, և այս նպատակով մարտի 20-22-ը Հայաստանում էին Լոնդոնի համալսարանական քոլեջի (ԼՀՔ) Կրթության ինստիտուտի առաջնորդության գծով առաջատար մասնագետներ էնթոնի Ռիչարդսոնը, Քարեն Սպենս-Թոմասը և Վանդա Թիլոթսոնը։
Եռօրյա հագեցած այցի ընթացքում նրանք հանդիպումներ ունեցան «Այբ» կրթական հիմնադրամի գործադիր տնօրեն Սոնա Կոշեցյանի, Կրթության գերազանցության ազգային ծրագրի տնօրեն Տ. Մեսրոպ քհն. Արամյանի և Արարատյան բակալավրիատն առաջարկող առաջին կրթօջախի՝ «Այբ» դպրոցի տնօրեն Արամ Փախչանյանի հետ։
Հանդիպման նպատակը ղեկավար կազմի մասնագիտական զարգացման ծրագրի բաղադրիչները, ոլորտները, մասնակիցների գնահատման մեթոդներն ու գործիքները քննարկելն ու ամբողջացնելն էր։ ԼՀՔ Կրթության ինստիտուտի մասնագետները հանդիպում-քննարկումներ ունեցան նաև ծրագրի հայաստանյան վերապատրաստողների հետ, ովքեր այս փուլում կօժանդակեն ԼՀՔ-ի մասնագետերին ծրագիրն իրականացնելիս:
Հայաստանում գտնվելու օրերին մասնագետները հանդիպում ունեցան նաև Արարատյան բակալավրիատի մի քանի թեկնածու դպրոցների տնօրենների հետ՝ զրուցելու և հայաստանյան պետական դպրոցների համատեքստին ու առանձնահատություններին անձամբ ծանոթանալու համար:
Ծրագրի մշակումը կավարտվի ապրիլին։ Այն պաշտոնապես կմեկնարկի Երևանում մայիսի 11-ին և անվճար կլինի բոլոր մասնակիցների՝ Արարատյան բակալավրիատի թեկնածու դպրոցների տնօրենների և փոխտնօրենների համար։ Ծրագրի շրջանակում նախատեսվող դեմառդեմ հանդիպումները կվարեն ԼՀՔ Կրթության ինստիտուտի առաջնորդության գծով մասնագետներ Քարեն Սպենս-Թոմասը և Վանդա Թիլոթսոնը՝ հայաստանյան վերապատրաստողների օժանդակությամբ: